Samsung sẽ giới thiệu Công nghệ chip 3nm với Tổng thống Mỹ
Samsung được cho là sẽ sớm đưa vào sản xuất hàng loạt quy trình GAA 3nm và sẽ giới thiệu công nghệ này tại Tổng thống Mỹ Joe Biden khi ông đến thăm Pyeongteak của Hàn Quốc trong tuần này.
Xem thêm:
- Chứng nhận 3C tiết lộ dung lượng pin của Galaxy Z Flip 4
- realme 9 chinh phục giới trẻ yêu thích nhiếp ảnh
Tổng thống Mỹ Joe Biden được cho là sẽ đến Seoul trong chuyến thăm ba ngày và theo Yonhap, chuyến thăm đó sẽ bao gồm chuyến tham quan cơ sở Pyeongtaek của Samsung, cũng là cơ sở lớn nhất thế giới và nằm cách Seoul khoảng 70 km về phía nam. Cùng với Biden, Phó Chủ tịch Lee Jae-yong của Samsung cũng được cho là sẽ đi cùng ông trong chuyến tham quan để giới thiệu quy trình sản xuất hàng loạt thế hệ tiếp theo.
Trong vài tháng nay, Samsung được cho là đã bắt đầu sản xuất hàng loạt công nghệ 3nm Gate-All-Around (GAA) của mình. Chip này có tiến trình cao hơn so với chip Snapdragon 8 Gen 1 với 4nm.
Ưu điểm của GAA 3nm là rất lớn so với quy trình 5nm của Samsung, công ty cho biết rằng kích thước chip sẽ giảm 35% trong khi hiệu suất lại cao hơn 30%, tiết kiệm điện năng hơn 50%. Quy trình GAA 3nm này có thể được thiết kế để sử dụng nút 3nm của TSMC.
Theo thống kê do TrendForce trình bày, TSMC chiếm 52,1% thị phần đúc toàn cầu trong quý 4 năm 2021, trong khi Samsung, người đứng ở vị trí thứ hai, đang bị tụt lại nghiêm trọng với chỉ 18,3% thị phần trong cùng kỳ. Một báo cáo trước đó đã đề cập rằng nhà sản xuất Hàn Quốc đang gặp khó khăn với quy trình GAA 3nm của mình, vì tỷ lệ năng suất được cho là kém hơn so với công nghệ 4nm của họ.
Nếu Samsung không thể cải thiện những sản lượng này đồng thời đưa ra bằng chứng cho thấy quy trình GAA 3nm của họ cạnh tranh với các tấm wafer 3nm của TSMC, thì họ có thể không đảm bảo được các đơn đặt hàng từ Qualcomm và các hãng khác. Samsung dự kiến sẽ sớm bắt đầu sản xuất hàng loạt công nghệ chip tiên tiến của mình, vì vậy chúng ta sẽ xem nó so sánh như thế nào so với những gì TSMC mang lại.
Nguồn: wccftech
Techmag